Verstärkungsrechner

Berechnung der Kleinsignalverstärkung für Emitter-, Basis- und Kollektorschaltung (CE/CB/CC) mit Hybrid-π-Modell.

Funktionsprinzip

Das Hybrid-π-Modell beschreibt das Kleinsignalverhalten eines BJT. Die drei Grundschaltungen unterscheiden sich in Verstärkung, Impedanz und Phasenverhalten:

Emitterschaltung (CE) Av = −gm × (Rc ∥ RL), Zin = rπ, Zout ≈ Rc
Basisschaltung (CB) Av = +gm × (Rc ∥ RL), Zin ≈ 1/gm, Zout ≈ Rc
Kollektorschaltung (CC) Av ≈ 1, Zin = rπ + (β+1)×(Re ∥ RL), Zout ≈ 1/gm + Rs/(β+1)

Mit gm = Ic/Vt und rπ = β/gm. Die Thermospannung Vt ≈ 26 mV bei 25°C.

Vergleich der drei Konfigurationen

CE Emitterschaltung Q Av: hoch Ai: hoch Zin: mittel Phase: 180° Universalverstärker CB Basisschaltung Q Av: hoch Ai: ≈ 1 Zin: sehr niedrig Phase: 0° HF / Kaskode CC Kollektorschaltung Q Av: ≈ 1 Ai: hoch Zin: sehr hoch Phase: 0° Impedanzwandler Abb. 1: Vergleich der drei BJT-Grundschaltungen — Verstärkung, Impedanz und Phaseninversion

Normen & Standards

Norm Bezeichnung Anwendungsbereich
DIN EN 60747-6 Halbleiterbauelemente — BJT Prüfverfahren für Verstärkungskenngrößen: hFE, hfe (Kleinsignal), Grenzfrequenz fT, Eingangs-/Ausgangsimpedanzen.
DIN EN 60747-1 Halbleiterbauelemente — Allgemein Allgemeine Definitionen und Prüfbedingungen für Halbleiterbauelemente.
IEC 60747-6 Semiconductor — Bipolar transistors Internationale Messnorm für BJT-Parameter: Gleichstrom- und Kleinsignalverstärkung, thermische Grenzdaten.
DIN EN 60617 Graphische Symbole — Schaltpläne Normierte Schaltzeichen für BJT-Transistoren und Verstärkerschaltungen in technischen Dokumentationen.

Fachbegriffe (Glossar)

Emitterschaltung (CE)
BJT-Konfiguration mit Emitter als gemeinsamer Referenz. Hohe Av und Ai, 180° Phasenumkehr.
Basisschaltung (CB)
BJT-Konfiguration mit Basis als gemeinsamer Referenz. Keine Phasenumkehr, niedrige Zin, hohe Bandbreite.
Kollektorschaltung (CC)
Emitterfolger: Av ≈ 1, sehr hohe Zin, sehr niedrige Zout. Impedanzwandler.
Transkonduktanz (gm)
gm = Ic/Vt: Verhältnis von Ausgangsstroms zu Eingangsspannung. Schlüsselparameter für alle Verstärkerkonfigurationen.
rπ (Basis-Eingangswiderstand)
Kleinsignal-Widerstand der B-E-Strecke: rπ = β/gm = β×Vt/Ic.
Hybrid-π-Modell
Kleinsignal-Ersatzschaltbild des BJT: stromgesteuerte Stromquelle (gm×vbe) mit rπ und ro. Standardmodell für manuelle Analyse.
Miller-Effekt
Scheinbare Vergrößerung der B-C-Kapazität in CE: Cin = Cbc×(1+|Av|). Begrenzt die Bandbreite.

Häufig gestellte Fragen

Was ist die Emitterschaltung (CE)?

Die Standardkonfiguration für BJT-Verstärker: Eingang an der Basis, Ausgang am Kollektor, Emitter als gemeinsamer Bezugspunkt. Bietet hohe Spannungs- UND Stromverstärkung, aber mit Phasenumkehr (180°).

Was ist die Basisschaltung (CB)?

Eingang am Emitter, Ausgang am Kollektor, Basis als gemeinsamer Bezugspunkt. Vorteile: keine Phasenumkehr, hohe Bandbreite (kein Miller-Effekt), niedrige Eingangsimpedanz. Ideal für HF-Stufen und Kaskode.

Was ist der Emitterfolger (CC)?

Eingang an der Basis, Ausgang am Emitter, Kollektor als gemeinsamer Bezugspunkt. Av ≈ 1 (keine Spannungsverstärkung), aber sehr hohe Eingangsimpedanz und niedrige Ausgangsimpedanz → idealer Impedanzwandler.

Was ist gm (Transkonduktanz)?

gm = Ic/Vt beschreibt, wie stark der Ausgangsstrom auf Eingangsspannungsänderungen reagiert. Bei Ic = 1mA und T = 25°C: gm = 1mA/26mV ≈ 38,5 mA/V. Höherer Ic → höherer gm → höhere Verstärkung.

Was ist rπ?

rπ = β/gm ist der Kleinsignal-Eingangswiderstand der Basis-Emitter-Strecke im Hybrid-π-Modell. Bei β = 100 und Ic = 1mA: rπ = 100/38,5 = 2,6 kΩ. Bestimmt die Eingangsimpedanz der CE-Schaltung.

Warum kehrt CE die Phase um?

Steigt Vbe → steigt Ic → steigt der Spannungsabfall über Rc → sinkt Vc. Die Ausgangsspannung bewegt sich entgegengesetzt zur Eingangsspannung. CB und CC invertieren nicht.

Wie beeinflusst Re die CE-Verstärkung?

Ohne Re-Bypass: Av = -Rc/(re + Re), deutlich reduziert. Mit Bypass-Kondensator: Av = -gm×Rc, maximal. Der Kompromiss: Re stabilisiert den Arbeitspunkt, reduziert aber Av. Lösung: Re nur für DC wirksam.

Was ist der Miller-Effekt?

In CE: Die Kollektor-Basis-Kapazität Cbc wird durch den Spannungsgewinn multipliziert: Cin_eff = Cbc × (1 + |Av|). Dies begrenzt die Bandbreite. CB hat keinen Miller-Effekt → höhere Grenzfrequenz.

Wann verwende ich welche Konfiguration?

CE: Universalverstärker (Vorverstärker, NF). CB: HF-Eingangsstufen, Kaskode (hohe Bandbreite). CC: Impedanzwandler, Treiberstufen, Puffer zwischen Stufen. Häufig als Kaskade: CE → CC oder CE → CB.

Wie berechne ich die Leistungsverstärkung?

Ap = Av × Ai (Spannungsverstärkung × Stromverstärkung). In dB: Ap_dB = 10×log10(|Av × Ai|). CE hat die höchste Leistungsverstärkung aller drei Konfigurationen.

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