SI1555DL_P SPICE Modell — PMOS MOSFET Parameter | KennLab

SPICE-Modellparameter für den SI1555DL_P (PMOS MOSFET): VTO=-.9, KP=3. Quelle: KiCad-Spice-Library.


MOSFET · PMOS · Siliconix

Übersicht

Der SI1555DL_P ist ein PMOS MOSFET von Siliconix. Die Schwellenspannung (VTO) beträgt -.9 V ; das Modell führt zudem einen RON-Wert von 700.000 mΩ. Zusätzlich ist ein VDS-Parameter von 8 V hinterlegt.

Die nachfolgenden SPICE-Modellparameter stammen aus der Open-Source-Bibliothek KiCad-Spice-Library und lassen sich in vielen Faellen in LTSpice, ngspice oder QUCS einbinden. Ob ein Modell ohne Nacharbeit laeuft, haengt jedoch von Bibliothekseinbindung, Syntaxdetails und Simulatoroptionen ab. Das Modell verwendet das VDMOS/LEVEL-1 Format.

Ausgangskennlinienfeld (I_D vs V_DS)

Ausgangskennlinienfeld — SI1555DL_P V_DS [V] I_D [A] V_GS = 2V V_GS = 3V V_GS = 4V

Das Ausgangskennlinienfeld zeigt den Drainstrom I_D als Funktion der Drain-Source-Spannung V_DS für drei Gate-Spannungen. Der Übergang von der linearen zur Sättigungsregion laesst sich im Modell nachvollziehen. Nutzen Sie unseren MOSFET-Arbeitsbereich-Rechner für interaktive Analysen.

Einordnung & Anwendung

Typologie Feldeffekttransistor (MOSFET)
Polarität PMOS
Modell-Einordnung Niedrigere VTO-Einordnung
Gate-Schwellenspannung (VTO) Niedriger (-0.9 V)

Ein niedriger VTO-Wert (VTO = -0.9 V) kann im Modell auf ein früheres Einsetzen des Kanalstroms hindeuten. Für die Beurteilung einer 3.3V- oder 5V-Ansteuerung sind jedoch vor allem R_DS(on)-Kennwerte, Transferkurven, Stromniveau und Temperaturverhalten des konkreten Bauteils maßgeblich.

Hinweis: Diese Einordnung leitet sich aus wenigen SPICE-Kennwerten ab und ersetzt keine datenblatt-, thermik- oder schaltungsbezogene Eignungspruefung.

SPICE-Modellparameter

SI1555DL_P — MOSFET SPICE Parameter
ParameterSPICE-SchlüsselWert
Schwellenspannung VTO -.9V
Transkonduktanzkoeffizient KP 3.0000A/V²
Drain-Widerstand RD 280.000 mΩ
Source-Widerstand RS 210.000 mΩ
Gate-Widerstand RG 3.0000Ω
Drain-Source On-Widerstand RON 700.000 mΩ
Max. Gate-Drain Kapazität CGDMAX .2nF
Min. Gate-Drain Kapazität CGDMIN .01nF
Gate-Source Kapazität CGS .06nF
Sperrschichtkapazität CJO .03nF
Sättigungsstrom IS 3.000 pA
Gate Ladung QG 1.500 nC
Max. Drain-Source Spannung VDS -8.0000V

SPICE .model Zeile

.model SI1555DL_P VDMOS(PCHAN (VTO=-.9 KP=3 RD=0.28 RS=0.21 RG=3 CGDMAX=.2n CGDMIN=.01n CGS=.06n CJO=.03n IS=3e-12 RB=0.35000000000000003 RON=0.7000000000000001 QG=1.5000000000000002e-9 VDS=-8)

Die obige Zeile kann in viele SPICE-Netzlisten (LTSpice, ngspice, QUCS) uebernommen werden. Vor dem produktiven Einsatz sollten Modellsyntax, Default-Temperaturen und Bibliothekspfade im verwendeten Simulator geprueft werden. Das Modell verwendet das VDMOS(PCHAN Format.

Hinweise zur Nutzung

1. Viele SPICE-Workflows starten mit einer nominalen Simulationstemperatur von 27°C. Massgeblich bleiben jedoch die Einstellungen des verwendeten Simulators (z.B. .temp, tnom) und die modellierten Temperaturkoeffizienten.

2. Kopieren Sie die .model-Zeile direkt in Ihre SPICE-Netzliste oder verwenden Sie unseren SPICE-Parameterextraktion Rechner.

3. Die Modellgenauigkeit kann je nach Hersteller-Charge variieren. Validieren Sie kritische Designs stets mit Datenblatt-Messungen.

MOSFET Arbeitsbereich Schnellrechner

PMOS-Parameter aus SPICE-Modell vorausgefüllt:

V
V
V
mA/V²
Id22.815 mA
BereichSättigung
Pd114.07 mW
Erweiterten MOSFET-Rechner öffnen →

Häufig gestellte Fragen

Was bedeutet VTO=-.9V beim SI1555DL_P?

VTO (Threshold Voltage) ist die modellierte Gate-Schwellenspannung, ab der im MOSFET-Modell Kanalstrom einsetzt. Beim SI1555DL_P liegt sie bei -.9 V. Allein daraus laesst sich jedoch keine sichere Logic-Level-Aussage ableiten; dafuer sind vor allem R_DS(on)-Angaben, Transferkurven sowie Strom- und Temperaturbedingungen bei der tatsaechlichen Gate-Spannung relevant.

Kann ich den SI1555DL_P direkt in LTSpice verwenden?

Hauefig ja, aber nicht zwingend ohne Nacharbeit. Kopieren Sie die .model-Zeile aus der KiCad-Spice-Library in Ihre Netzliste und pruefen Sie Modellformat, Bibliothekseinbindung und Temperatur-/Optionsdefaults Ihres LTSpice-Setups. Das Modell verwendet das LEVEL-1-Format, das in vielen SPICE-Simulatoren grundsaetzlich bekannt ist.

Modelle mit niedrigerem modelliertem RDS(on)

Folgende Modelle liegen in ähnlichen Grundkategorien, zeigen im jeweiligen SPICE-Modell jedoch abweichende BF- bzw. RDS(on)-Tendenzen:

Technologische Alternativen (PMOS)

Weitere Transistormodelle mit vergleichbarem Schwellenspannungs-Niveau (VTO):

Quellen und Referenzen

Methodik & Quellenprüfung

Inhalte basieren auf nachvollziehbaren Modellgleichungen, Normbezügen, Primärliteratur oder Hersteller-/Datenbankquellen. Quellenlinks wurden zuletzt am 3. April 2026 gegen offizielle Veröffentlichungen geprüft.