FDS6630A SPICE Modell — NMOS MOSFET Parameter | KennLab

SPICE-Modellparameter für den FDS6630A (NMOS MOSFET): VTO=2, KP=4. Quelle: KiCad-Spice-Library.


MOSFET · NMOS · Fairchild

Übersicht

Der FDS6630A ist ein NMOS MOSFET von Fairchild. Die Schwellenspannung (VTO) beträgt 2 V ; das Modell führt zudem einen RON-Wert von 53.000 mΩ. Zusätzlich ist ein VDS-Parameter von 30 V hinterlegt.

Die nachfolgenden SPICE-Modellparameter stammen aus der Open-Source-Bibliothek KiCad-Spice-Library und lassen sich in vielen Faellen in LTSpice, ngspice oder QUCS einbinden. Ob ein Modell ohne Nacharbeit laeuft, haengt jedoch von Bibliothekseinbindung, Syntaxdetails und Simulatoroptionen ab. Das Modell verwendet das VDMOS/LEVEL-1 Format.

Ausgangskennlinienfeld (I_D vs V_DS)

Ausgangskennlinienfeld — FDS6630A V_DS [V] I_D [A] V_GS = 3V V_GS = 4V V_GS = 5V

Das Ausgangskennlinienfeld zeigt den Drainstrom I_D als Funktion der Drain-Source-Spannung V_DS für drei Gate-Spannungen. Der Übergang von der linearen zur Sättigungsregion laesst sich im Modell nachvollziehen. Nutzen Sie unseren MOSFET-Arbeitsbereich-Rechner für interaktive Analysen.

Einordnung & Anwendung

Typologie Feldeffekttransistor (MOSFET)
Polarität NMOS
Modell-Einordnung Niedrigere VTO-Einordnung
Gate-Schwellenspannung (VTO) Niedriger (2 V)

Ein niedriger VTO-Wert (VTO = 2 V) kann im Modell auf ein früheres Einsetzen des Kanalstroms hindeuten. Für die Beurteilung einer 3.3V- oder 5V-Ansteuerung sind jedoch vor allem R_DS(on)-Kennwerte, Transferkurven, Stromniveau und Temperaturverhalten des konkreten Bauteils maßgeblich.

Hinweis: Diese Einordnung leitet sich aus wenigen SPICE-Kennwerten ab und ersetzt keine datenblatt-, thermik- oder schaltungsbezogene Eignungspruefung.

SPICE-Modellparameter

FDS6630A — MOSFET SPICE Parameter
ParameterSPICE-SchlüsselWert
Schwellenspannung VTO 2.0000V
Transkonduktanzkoeffizient KP 4.0000A/V²
Drain-Widerstand RD 21.200 mΩ
Source-Widerstand RS 15.900 mΩ
Drain-Source On-Widerstand RON 53.000 mΩ
Max. Gate-Drain Kapazität CGDMAX .2nF
Min. Gate-Drain Kapazität CGDMIN .03nF
Gate-Source Kapazität CGS .3nF
Sperrschichtkapazität CJO .1nF
Sättigungsstrom IS 10.000 pA
Gate Ladung QG 5.000 nC
Max. Drain-Source Spannung VDS 30.0000V

SPICE .model Zeile

.model FDS6630A VDMOS(RG=3 (VTO=2 KP=4 RD=0.0212 RS=0.0159 CGDMAX=.2n CGDMIN=.03n CGS=.3n CJO=.1n IS=1e-11 RB=0.0265 RON=0.053 QG=5e-9 VDS=30)

Die obige Zeile kann in viele SPICE-Netzlisten (LTSpice, ngspice, QUCS) uebernommen werden. Vor dem produktiven Einsatz sollten Modellsyntax, Default-Temperaturen und Bibliothekspfade im verwendeten Simulator geprueft werden. Das Modell verwendet das VDMOS(RG=3 Format.

Hinweise zur Nutzung

1. Viele SPICE-Workflows starten mit einer nominalen Simulationstemperatur von 27°C. Massgeblich bleiben jedoch die Einstellungen des verwendeten Simulators (z.B. .temp, tnom) und die modellierten Temperaturkoeffizienten.

2. Kopieren Sie die .model-Zeile direkt in Ihre SPICE-Netzliste oder verwenden Sie unseren SPICE-Parameterextraktion Rechner.

3. Die Modellgenauigkeit kann je nach Hersteller-Charge variieren. Validieren Sie kritische Designs stets mit Datenblatt-Messungen.

MOSFET Arbeitsbereich Schnellrechner

NMOS-Parameter aus SPICE-Modell vorausgefüllt:

V
V
V
mA/V²
Id2.000 mA
BereichSättigung
Pd10.00 mW
Erweiterten MOSFET-Rechner öffnen →

Häufig gestellte Fragen

Was bedeutet VTO=2V beim FDS6630A?

VTO (Threshold Voltage) ist die modellierte Gate-Schwellenspannung, ab der im MOSFET-Modell Kanalstrom einsetzt. Beim FDS6630A liegt sie bei 2 V. Allein daraus laesst sich jedoch keine sichere Logic-Level-Aussage ableiten; dafuer sind vor allem R_DS(on)-Angaben, Transferkurven sowie Strom- und Temperaturbedingungen bei der tatsaechlichen Gate-Spannung relevant.

Kann ich den FDS6630A direkt in LTSpice verwenden?

Hauefig ja, aber nicht zwingend ohne Nacharbeit. Kopieren Sie die .model-Zeile aus der KiCad-Spice-Library in Ihre Netzliste und pruefen Sie Modellformat, Bibliothekseinbindung und Temperatur-/Optionsdefaults Ihres LTSpice-Setups. Das Modell verwendet das LEVEL-1-Format, das in vielen SPICE-Simulatoren grundsaetzlich bekannt ist.

Modelle mit niedrigerem modelliertem RDS(on)

Folgende Modelle liegen in ähnlichen Grundkategorien, zeigen im jeweiligen SPICE-Modell jedoch abweichende BF- bzw. RDS(on)-Tendenzen:

Technologische Alternativen (NMOS)

Weitere Transistormodelle mit vergleichbarem Schwellenspannungs-Niveau (VTO):

Quellen und Referenzen

Methodik & Quellenprüfung

Inhalte basieren auf nachvollziehbaren Modellgleichungen, Normbezügen, Primärliteratur oder Hersteller-/Datenbankquellen. Quellenlinks wurden zuletzt am 3. April 2026 gegen offizielle Veröffentlichungen geprüft.