Übersicht
Der 2N7000 ist ein NMOS. Die nachfolgenden Angaben beschreiben eine KennLab-Bibliotheks-Snapshot-Sicht (Datenstand: 2026-03-22) aus gaengigen SPICE-Modellquellen.
Die Tabellenwerte sind keine universellen Bauteilkonstanten, sondern haengen vom verwendeten Modell (Vendor/Library), der Modellversion und dem Simulator ab.
Die Tabelle dient nur als Symbol- und Parameterstrukturhilfe. Fuer reproduzierbare Ergebnisse sollten Sie den vollstaendigen .model- oder .subckt-Block aus der verwendeten Bibliothek direkt uebernehmen, dessen Quelle protokollieren und anschliessend gegen Mess- oder Datenblattwerte kalibrieren.
Exportiert wurde diese Seite mit scripts/data_extraction/transistor_spice_extractor.mjs. Fuer Arbeitspunkt-Checks kann der MOSFET-Arbeitsbereich-Rechner als Vorpruefung dienen.
Referenztabelle
| Parameter-Beschreibung | SPICE-Symbol | Modellwert (Library-Snapshot) | Einheit |
|---|---|---|---|
| Schwellenspannung | Vto | modellabhaengig | V |
| Transkonduktanz-Parameter | Kp | modellabhaengig | A/V² |
| Body-Effekt-Parameter | Gamma | modellabhaengig | V^0.5 |
| Oberflächenpotential | Phi | modellabhaengig | V |
| Kanallängenmodulation | Lambda | modellabhaengig | 1/V |
| Drain-Bahnwiderstand | Rd | modellabhaengig | Ω |
| Source-Bahnwiderstand | Rs | modellabhaengig | Ω |
| Gate-Bahnwiderstand | Rg | modellabhaengig | Ω |
| Sperrstrom des Bulk-PN-Übergangs | Is | modellabhaengig | A |
| Gate-Source Überlappungskapazität | Cgso | modellabhaengig | F/m |
| Gate-Drain Überlappungskapazität | Cgdo | modellabhaengig | F/m |
| Gate-Bulk Überlappungskapazität | Cgbo | modellabhaengig | F/m |
| Oxiddicke | Tox | modellabhaengig | m |
| Metallurgische Übergangstiefe | Xj | modellabhaengig | m |
Hinweise zur Nutzung
1. SPICE-Parameter sind Fit-Parameter eines konkreten Modells und nicht automatisch identisch mit jeder Hersteller-Datenblattkennlinie.
2. Vergleiche zwischen Modellen sind nur sinnvoll, wenn Modelltyp, Bibliotheksquelle und Simulatorversion identisch sind.
3. Provenienz dieses Snapshots: Modellname 2N7000, Exportdatum 2026-03-22, Generator scripts/data_extraction/transistor_spice_extractor.mjs.
4. Fuer Temperatur- und Schaltverluste sollten Temperatur-Sweeps und ggf. erweiterte Modelle verwendet werden, statt Einzelwerte aus dem Grundmodell direkt zu verallgemeinern.
Verwenden Sie unseren MOSFET Arbeitsbereich & Sättigung für Ihre eigenen Berechnungen.
Häufig gestellte Fragen
Wie importiere ich diese Parameter in LTSpice?
Verwenden Sie vorzugsweise den vollstaendigen .model- oder .subckt-Block fuer 2N7000 aus Ihrer Zielbibliothek (z.B. KiCad- oder LTspice-Quelle), statt Einzelwerte manuell zu uebertragen. So bleiben Parameterkonsistenz und Versionsbezug erhalten.
Warum gibt es Abweichungen zu Herstellerdatenblättern?
SPICE-Modelle sind mathematische Naeherungen bzw. Fitmodelle fuer bestimmte Kennlinienbereiche und Anwendungsziele. Parameter wie Vto, Kp, Lambda, Cgdo oder Rs werden oft gemeinsam auf Referenzdaten angepasst; ihre Einzelwerte haengen daher von Bibliothek, Simulator und Zielgenauigkeit ab.
Kann ich Werte aus verschiedenen Bibliotheken mischen?
Das ist nur mit Vorsicht sinnvoll. Einzelparameter aus unterschiedlichen Modellquellen koennen auf abweichenden Modellannahmen, Temperaturreferenzen oder Fit-Zielen beruhen. Fuer reproduzierbare Simulationen sollte moeglichst ein konsistenter Modellblock aus einer Quelle verwendet werden.
Quellen und Referenzen
- KiCad Spice Library (GitHub)
- Analog Devices — LTspice
- ngspice Official Project
- Lokaler KennLab-Generator: scripts/data_extraction/transistor_spice_extractor.mjs (Snapshot-Export 2026-03-22)
- Verwendeter Modellblock mit Bibliotheksname, Dateipfad und Versionsstand (fuer reproduzierbare Simulationen)