2SK1058 SPICE Modell — NMOS MOSFET Parameter | KennLab

SPICE-Modellparameter für den 2SK1058 (NMOS MOSFET): VTO=0.403969, KP=0.000019999999999999998. Quelle: KiCad-Spice-Library.


MOSFET · NMOS

Übersicht

Der 2SK1058 ist ein NMOS MOSFET . Die Schwellenspannung (VTO) beträgt 0.403969 V .

Die nachfolgenden SPICE-Modellparameter stammen aus der Open-Source-Bibliothek KiCad-Spice-Library und lassen sich in vielen Faellen in LTSpice, ngspice oder QUCS einbinden. Ob ein Modell ohne Nacharbeit laeuft, haengt jedoch von Bibliothekseinbindung, Syntaxdetails und Simulatoroptionen ab. Das Modell verwendet das VDMOS/LEVEL-1 Format.

Ausgangskennlinienfeld (I_D vs V_DS)

Ausgangskennlinienfeld — 2SK1058 V_DS [V] I_D [A] V_GS = 1V V_GS = 2V V_GS = 3V

Das Ausgangskennlinienfeld zeigt den Drainstrom I_D als Funktion der Drain-Source-Spannung V_DS für drei Gate-Spannungen. Der Übergang von der linearen zur Sättigungsregion laesst sich im Modell nachvollziehen. Nutzen Sie unseren MOSFET-Arbeitsbereich-Rechner für interaktive Analysen.

Einordnung & Anwendung

Typologie Feldeffekttransistor (MOSFET)
Polarität NMOS
Modell-Einordnung Niedrigere VTO-Einordnung
Gate-Schwellenspannung (VTO) Niedriger (0.403969 V)

Ein niedriger VTO-Wert (VTO = 0.403969 V) kann im Modell auf ein früheres Einsetzen des Kanalstroms hindeuten. Für die Beurteilung einer 3.3V- oder 5V-Ansteuerung sind jedoch vor allem R_DS(on)-Kennwerte, Transferkurven, Stromniveau und Temperaturverhalten des konkreten Bauteils maßgeblich.

Hinweis: Diese Einordnung leitet sich aus wenigen SPICE-Kennwerten ab und ersetzt keine datenblatt-, thermik- oder schaltungsbezogene Eignungspruefung.

SPICE-Modellparameter

2SK1058 — MOSFET SPICE Parameter
ParameterSPICE-SchlüsselWert
Schwellenspannung VTO 403.969 mV
Transkonduktanzkoeffizient KP 20.000 µA/V²
Kanallängenmodulation LAMBDA 184.988 f1/V
Drain-Widerstand RD 60.825 mΩ
Gate-Widerstand RG 50.0000Ω
RDS(on) Widerstand RDS 1.00 MΩ
Sättigungsstrom IS 10.000 fA

SPICE .model Zeile

.model 2SK1058 NMOS (VTO=0.403969 KP=0.000019999999999999998 LAMBDA=1.84988e-13 RD=0.0608251 RG=50 RDS=1000000 IS=1.0000000000000002e-14 CBD=2.5613800000000005e-9 CGSO=1.1351700000000001e-9 CGDO=1.1351700000000001e-9 UO=600 PHI=0.6 L=0.000002 W=0.029748200000000002)

Die obige Zeile kann in viele SPICE-Netzlisten (LTSpice, ngspice, QUCS) uebernommen werden. Vor dem produktiven Einsatz sollten Modellsyntax, Default-Temperaturen und Bibliothekspfade im verwendeten Simulator geprueft werden. Das Modell verwendet das NMOS Format.

Hinweise zur Nutzung

1. Viele SPICE-Workflows starten mit einer nominalen Simulationstemperatur von 27°C. Massgeblich bleiben jedoch die Einstellungen des verwendeten Simulators (z.B. .temp, tnom) und die modellierten Temperaturkoeffizienten.

2. Kopieren Sie die .model-Zeile direkt in Ihre SPICE-Netzliste oder verwenden Sie unseren SPICE-Parameterextraktion Rechner.

3. Die Modellgenauigkeit kann je nach Hersteller-Charge variieren. Validieren Sie kritische Designs stets mit Datenblatt-Messungen.

MOSFET Arbeitsbereich Schnellrechner

NMOS-Parameter aus SPICE-Modell vorausgefüllt:

V
V
V
mA/V²
Id0.000 mA
BereichSättigung
Pd0.00 mW
Erweiterten MOSFET-Rechner öffnen →

Häufig gestellte Fragen

Was bedeutet VTO=0.403969V beim 2SK1058?

VTO (Threshold Voltage) ist die modellierte Gate-Schwellenspannung, ab der im MOSFET-Modell Kanalstrom einsetzt. Beim 2SK1058 liegt sie bei 0.403969 V. Allein daraus laesst sich jedoch keine sichere Logic-Level-Aussage ableiten; dafuer sind vor allem R_DS(on)-Angaben, Transferkurven sowie Strom- und Temperaturbedingungen bei der tatsaechlichen Gate-Spannung relevant.

Kann ich den 2SK1058 direkt in LTSpice verwenden?

Hauefig ja, aber nicht zwingend ohne Nacharbeit. Kopieren Sie die .model-Zeile aus der KiCad-Spice-Library in Ihre Netzliste und pruefen Sie Modellformat, Bibliothekseinbindung und Temperatur-/Optionsdefaults Ihres LTSpice-Setups. Das Modell verwendet das LEVEL-1-Format, das in vielen SPICE-Simulatoren grundsaetzlich bekannt ist.

Technologische Alternativen (NMOS)

Weitere Transistormodelle mit vergleichbarem Schwellenspannungs-Niveau (VTO):

Quellen und Referenzen

Methodik & Quellenprüfung

Inhalte basieren auf nachvollziehbaren Modellgleichungen, Normbezügen, Primärliteratur oder Hersteller-/Datenbankquellen. Quellenlinks wurden zuletzt am 3. April 2026 gegen offizielle Veröffentlichungen geprüft.